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レデゥックアイン助教（総合、電気系）、高瀬健吾氏（研究当時電気系工学専攻 修士２年）、瀧口耕介氏（博士３年）、田中雅明教授（電気系工学専攻、スピンセンター）らの トポロジカル・ディラック半金属α-Snに関する論文がAdvanced Materials誌に出版され、Frontispieceに選ばれて、表紙を飾りました。

小菅敦丈 講師（工学系研究科附属システムデザイン研究センター講師）がMITテクノロジーレビュー［日本版］主催のアワード「Innovators Under 35 Japan 2021」において、 未来を創る35歳未満のイノベーターの1人に選出されました。

レ デゥック アイン助教（総合研究機構、電気系）、高瀬健吾氏（研究当時電気系工学専攻修士２年）、瀧口耕介氏（博士３年）、田中雅明教授（電気系、スピンセンター）のグループは、 福島工業高等専門学校の千葉裕講師、小田洋平准教授との共同研究で、世界最高品質のアルファ-スズ（α-Sn）薄膜をIII-V族化合物半導体インジウムアンチモン(InSb)(001)基板上に結晶成長（エピタキシャル成長） させることに成功し、α-Sn薄膜様々な量子伝導現象とトポロジカル物性を初めて明らかにしました。この研究成果は、新しいトポロジカル電子材料と量子デバイス技術のプラットフォームの形成に道を開くものと期待されます。 この研究成果はAdvanced Materials （10月14日オンライン版）にて発表されました。

レ デゥック アイン助教（総合、電気系）、高瀬健吾氏（研究当時電気系工学 専攻修士２年）、瀧口耕介氏（博士３年）、田中雅明教授（電気系工学専攻、ス ピンセンター）、 福島工業高等専門学校の千葉貴裕講師、小田洋平准教授による 研究成果ー「世界最高品質の単元素トポロジカル・ディラック半金属を実現～新 しいトポロジカル電子材料と量子デバイス技術のプラットフォーム形成に道～」 がプレスリリースされ、いくつかのマスコミで報道されました。

レ デゥック アイン助教、小林正起准教授、吉田博上席研究員、田中雅明教授らによる研究成果 「磁性元素を配列した強磁性超格子構造の作製と巨大磁気抵抗の実現～究極の原子層結晶成長法を駆使したスピントロニクス機能の実現へ新たな道～」が、プレスリリースされ、いくつかのマスコミで報道されました。