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ナノ物理デバイスラボ・田中雅明 教授と東京工業大学・ファムナムハイ准教授らによるナノスケール・シリコンベース・スピンデバイスの研究成果がJournal of Applied Physicsに掲載され、Editor's Pick & Featured Article（エディター選定の注目論文）に選ばれました。 Duong Dinh Hiep, Masaaki Tanaka, and Pham Nam Hai "Inverse spin-valve effect in nanoscale Si-based spin-valve devices" J. Appl. Phys. 122, pp.223904/1-7 (2017). DOI: 10.1063/1.4994881

ナノ物理デバイスラボ 竹中研究室博士3年（当時）韓在勲、竹中充 准教授らによる「高効率ハイブリッドMOS型光変調器」についての研究成果が、英国科学誌 Nature Photonics に出版されました。

ナノ物理デバイスラボ　田中・大矢研究室の宗田伊理也 特任研究員、大矢忍 准教授、田中雅明 教授による「バンドエンジニアリングを用いて磁性を人工的に制御できる新たな可能性を開拓～量子閉じ込め効果を用いた新たな磁化制御」に関する研究成果が、プレスリリースされ、UTokyo Researchに掲載されました。また、日経電子版などマスコミでも報道されました。 ＜プレスリリース＞　2017.5.23

ナノ物理デバイスラボ　田中・大矢研究室の宗田伊理也 特任研究員、大矢忍 准教授、田中雅明 教授による「強磁性体におけるバンドエンジニアリングと量子閉じ込め効果を用いた磁化制御」についての研究成果が、英国科学誌 Nature Communications に出版されました。

ナノ物理デバイスラボ・田中大矢研究室のレデゥックアイン助教、ファムナムハイ客員准教授、田中雅明教授による「スピン状態によって大きなエネルギー差が自発的に生ずるエネルギー帯構造を観測」した研究成果が、Nature Communicationsに掲載されました。 Le Duc Anh, Pham Nam Hai and Masaaki Tanaka "Observation of spontaneous spin-splitting in the band structure of an n-type zinc-blende ferromagnetic semiconductor" Nature Communications 7, 13810 (2016).

レデゥックアイン助教、ファムナムハイ客員准教授、田中雅明教授によるスピントロニクス材料物性に関する研究成果が、プレスリリースされ、UTokyo Researchに掲載されました。また、日経電子版、日刊工業新聞などマスコミでも報道されました。 ＜プレスリリース＞ スピン自由度を用いた次世代半導体デバイス実現へ大きな進展 ～強磁性半導体において大きなスピン分裂をもつ電子のエネルギー状態を初めて観測～ 電気系工学専攻 田中雅明 教授、レデゥック アイン 助教ら

宗田伊理也博士研究員（現東京工業大学助教）、大矢忍准教授、田中雅明教授ら（ナノ物理デバイスラボ・田中・大矢研究室）の研究成果がプレスリリースされ、UTokyo Research および 日経プレスリリースに掲載されました。 ＜プレスリリース＞

ナノ物理デバイスラボ・田中・大矢研究室の「半導体の基礎物理学で新たな発見」に関する研究成果が、Nature Communications に掲載されました。 Iriya Muneta, Shinobu Ohya, Hiroshi Terada and Masaaki Tanaka, "Sudden restoration of the band ordering associated with the ferromagnetic phase transition in a semiconductor" Nature Communications 7, 12013 (2016). Doi: 10.1038/ncomms12013

ナノ物理デバイスラボ・田中研究室の高温強磁性半導体に関する研究成果が、Applied Physcs Letters誌(Issue of May 9, 2016)に掲載され、FEATURED ARTICLEに選ばれました。また同時に、AIP Publishingのハイライト記事AIP Publishing in the Newsに掲載されました。 ＜FEATURED ARTICLE＞ Nguyen Thanh Tu, Pham Nam Hai, Le Duc Anh, and Masaaki Tanaka "High-temperature ferromagnetism in heavily Fe-doped ferromagnetic semiconductor (Ga,Fe)Sb" Appl. Phys. Lett. 108, pp.192401/1-4 (2016).

矢谷浩司准教授がMicrosoft ResearchとUniversity of Hong Kongと行っていた共同研究が米国 Wired に掲載されました。

田中・大矢研究室（電気系工学専攻）と東大物性研、SPring-8、スイスPSI、広 島大学などとの共同研究による研究成果「希薄磁性半導体が磁石の性質を示す機 構を解明」が、東京大学ほか各機関のプレスリリースに掲載されました。

田中雅明教授、大矢忍准教授、ファムナムハイ主任研究員（田中・大矢研究室、ナノ物理・デバイスラボ）による、強磁性半導体のバンド構造、フェルミ準位、量子力学的なトンネル伝導とそのデバイスに関するレビュー論文(Invited paper)がApplied Physics Reviews誌に掲載されました。 Masaaki Tanaka, Shinobu Ohya, and Pham Nam Hai, "Recent progress in III-V based ferromagnetic semiconductors: Band structure, fermi level, and tunneling transport," Applied Physics Reviews, Vol.1, pp.011102/1-26 (2014). DOI: 10.1063/1.4840136