EEIS 東京大学大学院 工学系研究科 電気系工学専攻
電気系工学専攻博士課程1年の遠藤達朗さんらのグループがスピントランジスタの基本となる横型2端子スピンバルブ素子を単結晶酸化物を用いて作製し、従来の10倍以上の大きな磁気抵抗比とゲート電圧による電流変調に成功しました。本成果は、Wileyの学術誌「Advanced Materials」に掲載されました。
論文・受賞
2023.06.08

電気系工学専攻博士課程1年の遠藤達朗さん、小林正起准教授、Le Duc Anh准教授、関宗俊准教授、田畑仁教授、田中雅明教授、大矢忍教授らのグループが、スピントランジスタの基本となる横型2端子スピンバルブ素子を単結晶酸化物を用いて作製し、従来の10倍以上の大きな磁気抵抗比とゲート電圧による電流変調に成功しました。本成果は、Wileyの学術誌「Advanced Materials」に掲載されました。東京大学よりプレスリリースされ、いくつかのマスコミで報道されました。

<論文>
T. Endo, S. Tsuruoka, Y. Tadano, S. Kaneta-Takada, Y. Seki, M. Kobayashi, L. D. Anh, M. Seki, H. Tabata, M. Tanaka, and S. Ohya, Giant spin-valve effect in planar spin devices using an artificial implemented nanolength Mott-insulator region, Adv. Mater. 2023, 2300110 (2023).
URL: https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adma.202300110

<プレスリリース>
2022年5月31日,東京大学プレスリリース 「スピントランジスタの実現に向けて酸化物素子で巨大磁気抵抗と電流変調の実現に成功
―ナノスケール相転移技術の応用に向けた新たな可能性―」
https://www.t.u-tokyo.ac.jp/press/pr2023-05-31-001

<マスコミ、メディア報道>
2023年5月31日,スピントランジスタの実現に向けて酸化物素子で巨大磁気抵抗と電流変調の実現に成功 ―ナノスケール相転移技術の応用に向けた新たな可能性―,東京大学プレスリリース,https://www.t.u-tokyo.ac.jp/press/pr2023-05-31-001
2023年5月31日,東大、スピントランジスタの実現に向けて酸化物素子で巨大磁気抵抗と電流変調の実現に成功,日本経済新聞(電子版速報、プレスリリース),https://www.nikkei.com/article/DGXZRSP656273_R30C23A5000000/
2023年5月31日,スピントランジスタの実現に向けて酸化物素子で巨大磁気抵抗と電流変調の実現に成功 ―ナノスケール相転移技術の応用に向けた新たな可能性―,日本の研究.comhttps://research-er.jp/articles/view/122593
2023年6月1日,スピンの散乱や反射を大幅に低減する、単結晶酸化物スピントランジスタ素子を作製 東京大学,fabcrossエンジニア,https://engineer.fabcross.jp/archeive/230601_tu-tokyo-ac.html
2023年6月1日,東大、ハーフメタルを用いた「スピントランジスタ」を開発,TECH+マイナビニュース,https://news.mynavi.jp/techplus/article/20230601-2693589/
2023年6月1日,東大、ハーフメタルを用いた「スピントランジスタ」を開発,Mapion
ニュース,https://www.mapion.co.jp/news/column/cobs2612812-1-all/
2023年6月1日,東大,酸化物素子で巨大磁気抵抗と電流変調を実現,OPTRONICS
ONLINE,https://optronics-media.com/news/20230601/81428/
2023年6月5日,東京大、酸化物素子で磁気抵抗比を10倍以上に,Yahooニュース,https://news.yahoo.co.jp/articles/b2a94891935466d3078bda7b14766345cf63a26e

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