電気電子工学科4年生（中野・種村・前田研究室）の佐々木一晴さんが、第16回ナノ構造エピタキシャル成長講演会において、発表奨励賞を受賞しました。

<受賞した賞の名称と簡単な説明>

発表奨励賞は、ナノエピ分科会の講演会において、結晶成長及び関連の研究の発展に貢献する優秀な論文を発表した若手会員に対して授与し、その功績を称えることを目的とする賞です。

<受賞された研究・活動について>

電気電子工学科4年生（中野・種村・前田研究室）の佐々木一晴さんが、2024年5月30日-6月1日に高知県立県民文化ホールで行われた第16回ナノ構造エピタキシャル成長講演会において、「SiドープAlNショットキーバリアダイオードの電流-電圧特性のサイズ依存性」という題で発表し、発表奨励賞を受賞しました。

<受賞された研究・活動について>

窒化アルミニウム（AlN）は、非常に大きいバンドギャップと高い絶縁破壊電界を示すことから、高温・高電圧下で動作可能な次世代パワーデバイス材料として注目を集めています。本研究では、AlNのショットキーバリアダイオードにおいて、電流輸送機構を詳細に調べ、障壁高さとそのばらつきを解明することに成功しました。また、この障壁高さのばらつきを生む欠陥の密度が、転位密度よりも遥かに小さくなることを突き止め、SiやGaNなどの他材料ではリーク電流の主要因が転位となるのに対し、AlNでは他の要因が関係している可能性を示唆しました。本研究の成果は、AlNの基本的な物性の解明に大きく寄与するものと考えています。

<今後の抱負・感想>

このような賞を頂けたことを大変光栄に思っています。この受賞は手厚くご指導くださった前田先生、共同研究でお世話になっておりますNTT物性科学基礎研究所の皆様、そして研究室メンバーのサポートのお陰です。これからも初心を忘れず、これまで以上に研究に力を入れていく所存です。

ナノエピ学会HP:https://sites.google.com/view/nanoepi/event?authuser=0
前田研究室HP: https://sites.google.com/g.ecc.u-tokyo.ac.jp/maeda-lab/home