X線分光による新しい電子材料・スピントロニクス物質の物性解明
物性の発現機構を理解すれば、材料の高性能化や応用に望まれる物質創成への手がかりを得ることができます。小林（起）研究室では、機能性電子材料やデバイス構造の物性解明を目的として、放射光分光を用いた電子状態解析による基礎研究を進めています。
研究分野1
強磁性半導体
磁性半導体は、GaAsやTiO2などの半導体に数％の濃度で磁性元素（主に3d遷移金属）を添加した系であり、半導体と磁性体を合わせた性質を示し、スピントロニクスにおいて鍵とな物質です。研究室では、放射光分光（光電子分光、X線磁気円二色性など）を用いて磁性半導体の電子状態を調べることで、キャリア誘起強磁性の物理的な原因を解明する研究を進めています。
研究分野2
遷移金属酸化物
酸化物は熱的な安定性が高く、従来の半導体材料を置き換える潜在力を持つ物質として注目を集め、酸化物エレクトロニクスを目指した研究が盛んに行われています。研究室では、遷移金属酸化物デバイス構造の電子状態解析により、量子物性の解明を目指しています。
研究分野3
X線分光
高輝度のX線を利用できる放射光施設や実験室光源を用いた分光法を用いて、物質の電子状態の研究を行います。放射光施設では明るく絞れたX線を広いエネルギー範囲で使うことが可能で、放射光は電子構造解析に理想的な光源です。研究室では放射光用いた分光法や光電子分光を組み合わせて、物質の電子構造を調べます。