大規模集積化を目指した半導体シリコンナノデバイス
平本/小林研究室では、将来の革新的集積ナノエレクトロニクスにおいてデバイスサイドからイノベーションを起こすことにより究極の集積ナノデバイスを追究し、世界の諸課題解決に貢献することを目指します。
研究分野1
半導体シリコン微細MOSトランジスタ
研究ターゲットは，各種機能が融合した「Extended CMOS」と呼ぶべき究極の集積デバイスです． Extended CMOS実現に向けて，超低電力トランジスタ技術，微細トランジスタのランダム特性ばらつき，極微細シリコンナノワイヤトランジスタ，新機能シリコン単電子トランジスタ，およびそれらの集積化の研究を行っています． 従来のトランジスタ微細化・高性能化を中心とするMore Moore技術をベースに，さまざまな機能が融合してExtended CMOSが広がっていくビジョンを描いています．
研究分野2
シリコンパワートランジスタ
SiCやGaNなどの研究が進展するパワーデバイスの分野でも，シリコンデバイスはさらなる性能向上が可能であると私たちは考えています． IGBTと呼ばれるパワートランジスタのスケーリングや両面ゲート化に加え，オン抵抗を大幅に低減可能な横型パワーMOSFETの設計にも着手しました．
研究分野3
シリコン量子ビットの研究
シリコン量子ビットは，先端CMOS互換プロセスで作成可能であることから，将来の量子計算デバイスとして注目されています．本研究では，量子ビットの高集積化を実現するために，3次元に積層したシリコン量子ビットの実証を目指しています．